بررسی عملکرد ترانزیستورهای soi-mosfet در مقیاس نانو

thesis

دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده فنی
author جعفر احدزاده فرهود بناب
adviser ابراهیم حسینی
Number of pages: First 15 pages
publication year 1388

abstract

وقتی که ابعاد ترانزیستور به حد نانو می رسد، فرض یکنواختی توزیع چگالی حامل ها در کانال ترانزیستور نادرست می گردد. توزیع غیر یکنواخت و تصادفی ناخالصی ها در کانال ترانزیستور باعث ایجاد تغییراتی در مشخصه ترانزیستور می گردد و باعث می شود که پارامترهای ترانزیستور از جمله ولتاژ آستانه، جریان حالت خاموش و ... تا حدی غیر قابل پیش بینی گردد. عدم پیش بینی پارامترهای یک افزاره، طراحی مدارات مجتمع را با مشکل مواجه می سازد، چرا که در طراحی مدارهای آنالوگ و دیجیتال، دانستن پارامترهای مختلف ترانزیستور ضروری است. در این پایان نامه تاثیرات غیر یکنواختی توزیع ناخالصی ها در کانال ترانزیستورهای soi-mosfet مورد بررسی قرار گرفته است. در این بررسی شکلهای مختلف غیر یکنواختی در توزیع ناخالصی کانال مورد نظر قرار گرفته است. برای شبیه سازی ترانزیستورها از مدل موازنه انرژی استفاده شده است.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

بهبود آثار کانال کوتاه در ترانزیستورهای نانو soi mosfet

با پیشرفت تکنولوژی الکترونیک و کاهش ابعاد تا زیر میکرومتر و نانومتر مشکلاتی برای افزاره ها و مدارهای مجتمع پیش می آید که باید هم زمان با پیشرفت تکنولوژی سعی در بهبود این مشکلات نیز داشته باشیم. یک گام بزرگ در جهت پیشرفت علم الکترونیک استفاده از ترانزیستورهای سیلیسیم روی عایق در ساخت مدارهای مجتمع است. اما با کوچک سازی مدارهای مجتمع تا مقیاس نانومتر مشکلات مهمی برای این ترانزیستورها به وجود می آ...

آنالیز مقایسه ای روشهای بهبود اثرات کوچک سازی کانال در ترانزیستورهای SOI-MOSFET و ارائه یک تکنیک جدید

This paper critically examines the Short Channel Effects (SCEs) improvement techniques for improving the performance of SOI-MOSFETs. Also for first time, a new device structure called the Shielded Channel Multiple-Gate SOI-MOSFET (SC-MG) is introduced and designed. Using two-dimensional and two-carrier device simulation, it is demonstrated that the SC-MG exhibits a significantly reduced the el...

full text

رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر

در این مقاله یک مدل جدید غیرخطی برای بهبود محاسبه مقاومت بدنه ترانزیستورهای PD SOI در مقیاس 45 نانومتر ارائه می‌گردد. این مدل بر پایه شبیه‌سازی‌های سه بعدی سیگنال کوچک ارزیابی می‌شود. در این مقاله فاکتورهای مشخص‌کننده مقاومت بدنه در ترانزیستورهای نانومتر، با استفاده از قابلیت شبیه‌سازی سه بعدی نرم‌افزار ISE-TCAD نشان داده می‌شود و سپس با استفاده از مدل پتانسیل سطح، رابطه‌ای ریاضی برای محاسبه مق...

full text

رابطه جدید محاسبه مقاومت بدنه درترانزیستورهای MOSFET PD SOI در مقیاس نانومتر

full text

Compact Modeled SOI MOSFET Circuits

SOI means Silicon on Insulator. This type of transistors has Silicon-Insulator-Silicon substrate which is different from conventional MOSFET structure where metal layer is used on the top of Insulator [1, . Now a days, the width of the oxide of a MOSFET is reduced from 300nm to 1.2nm and even less with scaling in technology. If it is further reduced, the leakage problems (majorly Sub-threshold ...

full text

BE SOI MOSFET: A very simple reconfigurable SOI transistor

A reconfigurable transistor that can act both as a ntype and as a p-type MOSFET presents a flexibility of operation that may enable better circuit design [1]. Many options use sophisticated fabrication processes and architectures such as nanowires [2,3,4] to obtain a reconfigurable transistor. There are papers that report simulation results [5,6] for this kind of device. In this work we introdu...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}

document type: thesis

دانشگاه تربیت معلم - سبزوار - دانشکده فنی

Keywords

ترانزیستور موسفت سیلیکون روی عایق مقیاس نانو ترانزیستور پیوندی دوقطبی ولتاژ آستانه موازنه انرژی

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com